г. Минск
Интернет магазин цифровой и бытовой техники
Корзина
0 руб.

SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW

SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW
SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW
SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW
SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW
SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW
SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW
SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW
SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW
(1)
Код товара: 00004296748
Наличие: много
759.90 руб. / шт.
До конца акции осталось:
00дн.
00час.
00мин.
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung PiccoloQ, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 7150/6450 МБайт/с, случайный доступ: 700000/1100000 IOps, совместимость с PS5
Полное описание
Гарантия 12 мес.
Подарок при покупке
Дарим подарок при покупке данного товара
Выбрать подарок
SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW
SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW
(1)
Наличие: много
759.90 руб. / шт.

✅ Ключевые характеристики
Современный SSD-накопитель M.2 формата 2280 с объемом 1 ТБ, интерфейсом PCI Express 4.0 x4 и поддержкой NVMe 2.0, обеспечивает высокую производительность для рабочих станций и игровых ПК. Максимальная скорость последовательного чтения достигает 7150 МБ/с, а записи - 6450 МБ/с, что позволяет быстро работать с большими файлами и ускоряет загрузку приложений.

✅ Преимущества и отличия
Модель выделяется высокой надежностью с ресурсом записи 400 ТБ и временем наработки на отказ 1 500 000 ч. Накопитель поддерживает аппаратное шифрование AES 256bit, что гарантирует безопасность ваших данных. Благодаря энергоэффективности (максимальное энергопотребление 4.0 Вт при чтении) устройство подходит для систем с ограниченными возможностями охлаждения.

✅ Практичность
Отсутствие DRAM-буфера компенсируется технологией Host Memory Buffer, что позволяет добиться хорошей производительности в повседневных задачах. Полная совместимость с современными платформами и поддержка актуальных стандартов NVMe делают накопитель универсальным выбором для различных пользовательских сценариев, включая установку в игровые консоли.

✅ Уникальность
Использование фирменной памяти Samsung V-NAND и собственного контроллера обеспечивает стабильную работу и высокую долговечность. Расширенная поддержка функций TRIM, S.M.A.R.T., аппаратного шифрования и энергосбережения позволяет сохранить оптимальную производительность и защищенность данных на протяжении всего срока службы устройства


Дата выхода на рынок 2026 г.
Основные
Объём 1 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Версия NVMe 2.0
Тип микросхем Flash 3D QLC NAND
Контроллер Samsung PiccoloQ
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 400 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 7 150 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 6 450 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 700 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 100 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 4 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.055 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 2.38 мм
Охлаждение
Подсветка
Совместимость с PS5
Комплектация
Тип поставки RTL (в коробке)
Гарантия 12 мес.
Персональные рекомендации